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Substrat Saphir
Plaquettes de plan C à substrat saphir pour l'épitaxie au nitrure III-V dans la fabrication de puces à semi-conducteurs Plaquettes de plan C à substrat saphir pour l'épitaxie au nitrure III-V dans la fabrication de puces à semi-conducteurs

Plaquettes de plan C à substrat saphir pour l'épitaxie au nitrure III-V dans la fabrication de puces à semi-conducteurs

Le substrat saphir, résistant aux températures élevées, à la corrosion et présentant un faible décalage de réseau, est idéal pour les tranches épitaxiales en nitrure III-V comme le GaN dans la fabrication de puces semi-conductrices.
  • numéro d\'article :

    CS-BS-JP1001
  • Material : Sapphire

  • la description

Propriétés du substrat saphir


  • Résistant aux températures élevées et à la corrosion : Conçu pour résister à des températures extrêmes et aux environnements corrosifs, notre substrat en saphir conserve son intégrité et ses performances, même dans les conditions les plus difficiles.

  • Excellente résistance à l'usure : avec une résistance à l'usure exceptionnelle, ce substrat garantit une durabilité durable et réduit le besoin de remplacements fréquents, réduisant ainsi vos coûts globaux de maintenance.

  • Adaptable aux environnements de travail difficiles : que vous travailliez dans des fours à haute température, des usines de traitement chimique ou d'autres environnements exigeants, notre substrat saphir est conçu pour prospérer dans des environnements difficiles, offrant des performances fiables et des résultats cohérents.

  • Faible taux de discordance de réseau : doté d'un faible taux de discordance de réseau, ce substrat garantit une compatibilité optimale avec divers matériaux et appareils, améliorant ainsi la stabilité et la fiabilité des performances globales.

  • Performances stables : connu pour ses performances constantes et stables, notre substrat saphir est le choix idéal pour les applications nécessitant précision et fiabilité, garantissant le déroulement fluide et efficace de vos opérations.



Applications du substrat saphir


  • Idéal pour les plaquettes épitaxiales en nitrure III-V : notre substrat saphir sert de base parfaite pour la préparation de plaquettes épitaxiales en nitrure III-V, telles que le GaN. Cela en fait un choix idéal pour la fabrication de puces dans l’industrie des semi-conducteurs, garantissant des résultats fiables et de haute qualité.

  • Applications de l'industrie des semi-conducteurs : Parfaitement adapté à l'industrie des semi-conducteurs, notre substrat prend en charge la fabrication de puces utilisées dans une large gamme d'applications, notamment les LED, les lasers et l'électronique haute puissance.

  • Propriétés exceptionnelles des matériaux: Le saphir est réputé pour sa dureté, sa stabilité thermique et sa résistance chimique exceptionnelles. Ces propriétés rendent notre substrat très durable et capable de résister aux conditions difficiles des processus de fabrication de semi-conducteurs.

  • Précision et cohérence : Notre substrat saphir offre précision et cohérence en termes d'épaisseur, de planéité et de qualité de surface. Cela garantit que les plaquettes épitaxiales produites sont de la plus haute qualité et répondent aux normes strictes de l'industrie des semi-conducteurs.

  • Options personnalisables : Pour répondre aux divers besoins de nos clients, nous proposons des options personnalisables pour notre substrat saphir. Que vous ayez besoin d'une taille, d'une épaisseur ou d'un traitement de surface spécifiques, nous pouvons adapter notre substrat pour répondre exactement à vos besoins.



Tableau des tailles du substrat saphir

Veuillez fournir les exigences en matière de dessins et de paramètres pour la personnalisation.


Substrat saphir C-Plane (0001)
Numéro d'article Ench Diamter(mm) Épaisseurnessï¼Î¼mï¼ ttv arc chaîne Puretéy
CS-BS-JP1001 1 pouce 25,4 ± 0,1 430 ± 25 ttv < 5 μm
arc < 5 μm
déformation < 5 μm
99,999%
CS-BS-JP1002 2 pouces 50,8 ± 0,1 430 ± 25 ttv < 10 μm
arc < 10 μm
déformation < 10 μm
99,999%
CS-BS-JP1003 3 pouces 76,2 ± 0,1 500 ±25 ttv < 15 μm
arc < 15 μm
déformation < 15 μm
99,999%
CS-BS-JP1004 4 pouces 100 ± 0,1 650 ± 25 ttv < 20 μm
arc < 20 μm
déformation < 20 μm
99,999%
CS-BS-JP1005 5 pouces 125 ± 0,1 650 ± 25 ttv < 20 μm
arc < 20 μm
déformation < 20 μm
99,999%
CS-BS-JP1006 6 pouces 150 ± 0,2 1300 ± 25 ttv < 25 μm
arc < 25 μm
déformation < 25 μm
99,999%
CS-BS-JP1007 8 pouces 200 ± 0,2 1300 ± 25 tv< 30 μm
arc< 30 μm
chaîne< 30 μm
99,999%


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