Substrat en céramique Si3N4 métallisé AMB pour le conditionnement d'appareils haute puissance

Propriétés du substrat en nitrure de silicium métallisé

1. Excellente correspondance thermique :
   • Le coefficient de dilatation thermique de notre substrat en nitrure de silicium AMB est étroitement aligné sur celui des puces de silicium, garantissant une adaptation thermique supérieure. Cette fonctionnalité élimine le besoin d’une couche de transition, réduisant ainsi considérablement les coûts de matériaux et de traitement. Grâce à cette gestion thermique efficace, la fiabilité des composants emballés est améliorée, répondant parfaitement aux exigences de durabilité des applications hautes performances.
2. Conductivité thermique supérieure et capacité de transport de courant élevée :
   • Le substrat en nitrure de silicium AMB présente une conductivité thermique exceptionnelle et une capacité de transport de courant substantielle. Cette combinaison permet de créer des boîtiers de puces très compacts, augmentant considérablement la densité de puissance. De plus, la dissipation thermique et les performances électriques améliorées contribuent à améliorer la fiabilité du système et des appareils, ce qui en fait un choix idéal pour les appareils électroniques de pointe recherchés sur les marchés européens et nord-américains.

Applicationsns du substrat en nitrure de silicium métallisé

1. Application polyvalente dans les appareils haute tension et haute puissance :
   • Le substrat en nitrure de silicium AMB est un substrat d'emballage polyvalent conçu pour les appareils haute tension et haute puissance. Il sert de base à divers composants, notamment les modules d'alimentation, les alimentations à découpage haute fréquence, les relais, les modules de communication et les modules LED. Cette large applicabilité garantit qu'il répond aux divers besoins des systèmes électroniques et électriques modernes.
2. Couplage idéal avec les modules d'alimentation SiC à semi-conducteurs de troisième génération :
   • Notre substrat en nitrure de silicium AMB est particulièrement adapté au conditionnement de modules de puissance SiC semi-conducteurs de troisième génération. Les modules de puissance SiC (carbure de silicium) sont réputés pour leurs performances exceptionnelles dans des environnements haute tension et haute température, ce qui les rend idéaux pour les applications dans les véhicules électriques, le transport ferroviaire, les réseaux intelligents, l'aérospatiale et d'autres domaines de pointe. En s'associant aux modules d'alimentation SiC, le substrat en nitrure de silicium AMB améliore encore l'efficacité, la fiabilité et la durabilité de ces composants critiques, s'alignant parfaitement sur les normes rigoureuses exigées par les marchés européens et nord-américains.

Tableau des tailles du substrat en nitrure de silicium métallisé

Veuillez fournir les exigences relatives aux dessins et aux paramètres.