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Substrat semi-conducteur en nitrure de silicium
Substrat semi-conducteur en céramique Si3N4 de haute pureté pour dispositifs de puissance et circuits intégrés Substrat semi-conducteur en céramique Si3N4 de haute pureté pour dispositifs de puissance et circuits intégrés

Substrat semi-conducteur en céramique Si3N4 de haute pureté pour dispositifs de puissance et circuits intégrés

Le substrat céramique Si3N4, un matériau semi-conducteur de nouvelle génération composé de poudre de haute pureté, est largement utilisé dans les composants de puissance, les onduleurs, les modules et les circuits intégrés multi-dispositifs.
  • numéro d\'article :

    CS-DHG-JB001
  • Material : Si3N4

  • la description

Propriétés du substrat céramique Si3N4


  1. Résistance exceptionnelle aux hautes températures : le substrat en nitrure de silicium offre une température d'utilisation maximale impressionnante allant jusqu'à 1 300 °C, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une stabilité thermique extrême.

  2. Conductivité thermique supérieure et faible dilatation thermique : avec une conductivité thermique allant jusqu'à 95 W/(âm) et un coefficient de dilatation thermique minimal de seulement 310-6/â , ce substrat présente une résistance exceptionnelle aux chocs thermiques, garantissant stabilité et durabilité dans des environnements à température fluctuante.

  3. Résistance mécanique robuste et résistance aux chocs : Caractérisé par une résistance mécanique élevée et une ténacité remarquable, le substrat en nitrure de silicium résiste aux impacts mécaniques sévères sans compromettre les performances, garantissant ainsi la fiabilité dans les applications exigeantes.

  4. Excellentes propriétés d'isolation électrique: Bénéficiant d'une excellente isolation électrique, d'une tension de claquage élevée et d'une capacité de transport de courant importante, ce substrat est un choix optimal pour les composants électriques et électroniques nécessitant une rigidité diélectrique supérieure.

  5. Résistance chimique exceptionnelle : Capable de résister à l'érosion causée par une large gamme d'acides, d'alcalis et d'autres substances chimiques, le substrat en nitrure de silicium démontre une résistance exceptionnelle à la corrosion, ce qui le rend adapté aux environnements chimiques difficiles et agressifs.


Applications du substrat céramique Si3N4


  1. Applications de l'industrie électronique

    • Composants à haute fiabilité : le substrat céramique Si3N4 offre des performances d'isolation élevées et une résistance exceptionnelle aux températures élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de composants électroniques tels que des condensateurs, des résistances et des composants magnétiques qui nécessitent une fiabilité et des performances élevées. 69
    • Communication haut débit: Sa capacité à résister à des températures élevées et à maintenir des propriétés électriques stables le rend approprié pour une utilisation dans la couche moyenne des équipements de communication à haut débit, garantissant la transmission fluide et stable des signaux haute fréquence.
  2. Industrie photoélectrique

    • LED haute puissance : l'excellente conductivité thermique et la résistance mécanique du substrat céramique Si3N4 sont cruciales pour la fabrication de LED haute puissance, garantissant leur stabilité et leur longévité.
    • Panneaux solaires : ce substrat peut également être utilisé comme matériau de support pour les panneaux solaires, améliorant leur résistance mécanique et chimique, prolongeant ainsi leur durée de vie et leur efficacité.
  3. Industrie électrique

    • Composants électriques haute puissance: La combinaison d'une excellente isolation, dissipation thermique et résistance mécanique du substrat céramique Si3N4 le rend parfait pour la fabrication de divers composants électriques de haute puissance tels que des modules d'alimentation et des modules de chauffage. Ces composants, à leur tour, assurent la fiabilité et la longévité de l’ensemble du système électrique.


Tableau des tailles du Substrat céramique Si3N4

Veuillez fournir les exigences en matière de dessins et de paramètres pour la personnalisation.


Si3N4 Substrat Carré et Rectangulaire
Numéro d'article Longueur
(mm)
Largeur
(mm)
Épaisseur
(mm)
CS-DHG-JB001 10 10 0,32
CS-DHG-JB002 20 20 0,32
CS-DHG-JB003 30 30 4.0
CS-DHG-JB004 40 40 0,5
CS-DHG-JB005 50 50 0,32
CS-DHG-JB006 50 50 0,635
CS-DHG-JB007 50 50 1,0
CS-DHG-JB008 50 50 2.0
CS-DHG-JB009 50 50 4.0
CS-DHG-JB010 50 50 9.0
CS-DHG-JB011 100 100 0,3
CS-DHG-JB012 100 100 0,5
CS-DHG-JB013 100 100 0,6
CS-DHG-JB014 100 100 1.0
CS-DHG-JB015 100 100 4.0
CS-DHG-JB016 100 100 9.0
CS-DHG-JB017 114 114 0,3
CS-DHG-JB018 114 114 0,5
CS-DHG-JB019 114 114 0,6
CS-DHG-JB020 114 114 1.0
CS-DHG-JB021 190 138 0,3
CS-DHG-JB022 190 138 0,5
CS-DHG-JB023 190 138 0,6
CS-DHG-JB024 190 138 1.0


Si3N4 Substrat rond
Numéro d'article Diamètre
(mm)
Épaisseur
(mm)
CS-DHG-JB025 5 0,25
CS-DHG-JB026 5 0,32
CS-DHG-JB027 5 0,625
CS-DHG-JB028 5 1
CS-DHG-JB029 10 0,25
CS-DHG-JB030 10 0,32
CS-DHG-JB031 10 0,625
CS-DHG-JB032 10 1
CS-DHG-JB033 20 0,25
CS-DHG-JB034 20 0,32
CS-DHG-JB035 20 0,625
CS-DHG-JB036 20 1
CS-DHG-JB037 40 0,25
CS-DHG-JB038 40 0,32
CS-DHG-JB039 40 0,625
CS-DHG-JB040 40 1
CS-DHG-JB041 50 0,25
CS-DHG-JB042 50 0,32
CS-DHG-JB043 50 0,625
CS-DHG-JB044 50 1
CS-DHG-JB045 100 0,32
CS-DHG-JB046 100 1
CS-DHG-JB047 100 2
CS-DHG-JB048 150 0,32
CS-DHG-JB049 150 1
CS-DHG-JB050 150 2
CS-DHG-JB051 150 20




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