• CS PINTEREST
  • CS LINKEDIN
  • CS YOUTUBE
  • CS Facebook
français
#info@csceramic.com

Produits

maison Silicon Carbide Ceramic Silicon Carbide Plate

Plateau SiC de haute pureté pour les processus RTA PVD ICP CMP des semi-conducteurs

Catégories
Produits chauds

Plateau en carbure de silicium
Plateau SiC de haute pureté pour les processus RTA PVD ICP CMP des semi-conducteurs Plateau SiC de haute pureté pour les processus RTA PVD ICP CMP des semi-conducteurs

Plateau SiC de haute pureté pour les processus RTA PVD ICP CMP des semi-conducteurs

Le plateau en carbure de silicium de haute pureté, formé par frittage, sert de dispositif de transport durable dans les processus de fabrication de semi-conducteurs tels que RTA, PVD, ICP et CMP.

  • numéro d\'article :

    CS-THG-CZ1001

  • Material : SiC

Contacter maintenant catalogue
  • la description

Propriétés du SiC Plateau en carbure de silicium


  1. Gestion thermique supérieure :
    • Le plateau SiC présente une excellente conductivité thermique, garantissant un transfert de chaleur efficace pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
    • Avec un faible coefficient de dilatation thermique, il maintient la stabilité dimensionnelle, réduisant ainsi le risque de déformation ou de fissuration sous contrainte thermique.
    • Il présente une résistance exceptionnelle aux chocs thermiques, lui permettant de résister à des changements rapides de température sans dommage.
  2. Haute température et durabilité du plasma :
    • Conçu pour une résistance aux températures extrêmes, le plateau SiC peut supporter les températures élevées rencontrées dans les environnements de traitement des semi-conducteurs.
    • Sa résistance aux chocs plasma le rend idéal pour les applications impliquant la gravure au plasma ou d'autres processus basés sur le plasma, garantissant longévité et fiabilité.
  3. Résistance chimique :
    • Le plateau est résistant à une large gamme d'acides forts, d'alcalis et de réactifs chimiques, offrant une protection robuste contre les matériaux corrosifs couramment utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs.
    • Cette inertie chimique garantit des performances constantes et une durée de vie prolongée, réduisant ainsi le besoin de remplacements fréquents.
  4. Propriétés mécaniques exceptionnelles :
    • Caractérisé par une dureté et une résistance élevées, le plateau SiC offre une durabilité et une capacité de charge exceptionnelles.
    • Sa bonne résistance à l'usure garantit que le plateau conserve une surface lisse et précise dans le temps, minimisant ainsi le risque de contamination par des particules dans les processus de fabrication sensibles.


Applications du SiC Plateau en carbure de silicium



  • Le plateau SiC sert de plaque de transport critique dans les processus de fabrication de semi-conducteurs, y compris la production de LED. Sa combinaison unique de propriétés thermiques, chimiques et mécaniques en fait un composant indispensable pour garantir la précision, la fiabilité et l'efficacité des opérations modernes de fabrication de semi-conducteurs.




Tableau des tailles du plateau en carbure de silicium SiC

Veuillez fournir les exigences en matière de dessins et de paramètres pour la personnalisation.


Plateau en carbure de silicium Plateau SiC PVD
Numéro d'article Diamètre
(mm) 		Épaisseur
(mm) 		La pureté du SiC
(%)
CS-THG-CZ1001 230 3 99
CS-THG-CZ1002 300 1,4 99
CS-THG-CZ1003 300 3 99
CS-THG-CZ1004 330 1,4 99
CS-THG-CZ1005 330 3 99


Plateau en carbure de silicium SiC ICPlateau P
Numéro d'article Diamètre
(mm) 		Épaisseur
(mm)		 La pureté du SiC
(%)
CS-THG-CZ2001 300 3 99
CS-THG-CZ2002 300 4.4 99
CS-THG-CZ2003 330 4.4 99
CS-THG-CZ2004 330 3 99
CS-THG-CZ2005 380 4,4 99
CS-THG-CZ2006 380 3 99


Tags : Plateau en carbure de silicium Plateau semi-conducteur SiC Plateau de support RTA SiC Plateau SiC PVD/ICP/CMP Plateau SiC pour la fabrication de semi-conducteurs
demander un devis gratuit

Si vous avez des questions ou des suggestions, s'il vous plaît laissez-nous un message,

Produits connexes
demander un devis gratuit

Si vous avez des questions ou des suggestions, s'il vous plaît laissez-nous un message,

  • CS PINTEREST
  • CS LINKEDIN
  • CS YOUTUBE
  • CS Facebook
entrer en contact
souscrire

S'il vous plaît lisez la suite, rester posté, vous abonner, et nous vous invitons à nous dire ce que vous pensez.

Droit d\'auteur © 2000-2025 CS Ceramic Co.,Ltd.Tous droits réservés.

   

l\'équipe professionnelle au service !

discuter maintenant

chat en direct

    laissez un message et nous vous répondrons par e-mail. Les heures normales de discussion en direct sont du lundi au vendredi de 9h à 15h (est)