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Sintered silicon carbide are classify to refractory plates,reaction bonded SIC ceramic plates and rectrstallized SIC plates .Our rectrstallized SIC products have a high purity,while our reaction bonded and sintered silicon carbide plates have a high mechanical strength.
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Le carbure de silicium d'hexagone plaque en céramique la plaque bullistique d'hexagone régulière longueur 20-400mm/épaisseur 6-25 pureté 90% adaptée aux besoins du clientLe carbure de silicium (SiC) est un matériau céramique léger avec des propriétés de haute résistance comparables au diamant. C'est une excellente matière première céramique pour les applications nécessitant une bonne résistance à l'érosion et à l'abrasion. -
Plaque de carbure de silicium | Plaque SiC à vendreLa plaque de réglage en forme de poisson réfractaire Sic pour les meubles de four. -
Plaquette SiC pour MOSFET, diodes Schottky et photodiodesLa plaquette de carbure de silicium, un matériau semi-conducteur de nouvelle génération, est utilisée pour fabriquer des MOSFET, des diodes Schottky, des photodiodes et d'autres appareils électroniques. -
Plaquettes SOI haute vitesse silicium sur isolant basse consommation pour circuits intégrés et MEMSLes plaquettes SOI, silicium sur isolant où une fine couche de silicium repose sur un substrat isolant, permettent un fonctionnement à grande vitesse et à faible consommation en réduisant la capacité, le courant de fuite et en améliorant les vitesses de commutation, largement adoptées en microélectronique et émergentes en photonique et MEMS. -
Plaque pare-balles en céramique SiC de niveau NIJ IV pour doublure d'armure et blindage de protectionLa plaque pare-balles en céramique SiC offre une dureté élevée (HV2600+), une protection de niveau NIJ IV, idéale pour les doublures de gilets pare-balles et les blindages de véhicules, d'avions et de navires. -
Substrat céramique SiC haute puissance, types conducteurs et semi-isolantsLe substrat SiC, matériau de base pour les puces semi-conductrices, de types conducteurs et semi-isolants, prend en charge les applications haute température, haute tension et grande puissance, disponible dans des diamètres de 2 à 8 pouces (50 à 200 mm). -
Plateau SiC de haute pureté pour les processus RTA PVD ICP CMP des semi-conducteursLe plateau en carbure de silicium de haute pureté, formé par frittage, sert de dispositif de transport durable dans les processus de fabrication de semi-conducteurs tels que RTA, PVD, ICP et CMP.
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